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262017-12
研磨機的研磨軌跡可以分為那幾種？研磨機在研磨時運動軌跡一般來說可以分為以下幾種： 1.平面的研磨軌跡：陶瓷研磨機作平面研磨時要求工件表面各點的滑動速度和滑動路程相等。通過通常只有工平行移動的情況下才有可能使磨料的運動軌跡具有同樣的形式，但其軌跡不重復(fù)的前提下，就能達到均勻磨削的目的。 2.圓柱面的研磨運動軌跡：在研磨圓柱而時，所需要的研磨運動為工件的旋轉(zhuǎn)運動和工具的往復(fù)運動，或者...
252017-12
拋光片宜采用怎樣的清洗方法？在陶瓷拋光機拋光硅片后，硅片表面會產(chǎn)生一些污染主要以：微粗糙度，金屬污染和表面顆粒度以及有機沾污這些對器件性能有重大影響。以下簡單介紹一些清洗方法： 1.微粗糙度.以前一般常用RCV清洗技術(shù)清洗硅片，而在清洗過后硅片表面則會有較為嚴(yán)重的粗糙化作用。對于硅片表面的微粗糙度主要是受到RCA清洗工藝和HF清洗的影響，我們可以采用降低氨水含量和極度稀釋H...
212017-12
在CMP過程中顆粒與拋光片是怎樣相互作用的？在陶瓷拋光機進行CMP過程中顆粒與拋光片相互作用；集成電線si襯底，介電層，金屬層等，它們的拋光機理目前還沒均未得到清楚的認識，在沒有氧化劑條件下或者研磨顆粒條件下的拋光液中進行試驗都表明不可能得到要求的拋光去除量。CMP過程中的機械作用通過在兩種典型的接觸模式下存在，即流體動力學(xué)模型和固體接觸模型，當(dāng)拋光表面承受壓力較小，相對速度較大時，在拋...

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